ВБР для стабилизации длины волны

Использование ВБР, состыкованных с полупроводниковыми лазерными диодами, позволяет стабилизировать длину волны излучения диодов накачки или получать одночастотный режим генерации. Для стабилизации длины волны применяют слабо отражающие решетки с FWHM 0.3 нм – 0.8 нм и коэффициентом отражения 2% – 5 %. Решетки расположенные вплотную к лазерному кристаллу с FWHM около 0.1 нм и отражением 10% - 20% применяются для получения одночастотных режимов работы полупроводниковых лазеров. Мы изготавливаем решетки с точностью по длине волны отражения до ± 0.02 nm. На рисунках представлены спектры пропускания таких решеток.